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基于这些发现，芯片本文进一步提出了一种减少氢脆现象的有效策略，芯片即通过金属间化合物颗粒捕获氢，使其不但避免氢脆现象的产生，还有利于力学性能的提高。业换开发具有优异性能的金属材料是时代所需。
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从而发现了异常杂质效应，业换为稳定纯金属的高级加工和应用提供了一种新途径。装前图5a.室温下单晶[111]向与多晶（插图）Co25Ni25(HfTiZr)50合金的单轴微柱压缩应力-应变曲线。
目前为止，国产实际使用的金属材料大都是合金，而非纯金属，其主要原因是纯金属具有非常低的热稳定性和强度。
GB滑动，芯片有时伴有GB迁移，会强烈影响多晶材料的非弹性变形，如高温下的扩散蠕变以及环境温度下的塑性变形。密度泛函理论计算（DFT）利用DFT计算可以获得体系的能量变化，业换从而用于计算材料从初态到末态所具有的能量的差值
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